中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化
新華社廣州10月17日電(記者 田建川)記者從中國科學(xué)院高能物理研究所東莞研究部獲悉,近日,中國散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)成功制備出高性能大面積碳化硼薄膜,實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國產(chǎn)化。
中國散裂中子源是位于廣東省東莞市境內(nèi)的大科學(xué)裝置,被譽(yù)為觀察微觀世界的“超級(jí)顯微鏡”,能在不對(duì)物質(zhì)造成破壞的前提下“看穿”材料的微觀結(jié)構(gòu),中子探測(cè)器就是這個(gè)大科學(xué)裝置的“眼睛”。
據(jù)了解,此次制備出的碳化硼薄膜樣品單片面積達(dá)到1500毫米×500毫米,薄膜厚度1微米,全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%,是目前國際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜。該樣品由我國自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置制備。
基于硼轉(zhuǎn)換的中子探測(cè)器因其優(yōu)異的性能已成為當(dāng)前國際上研究的熱點(diǎn),隨著中國散裂中子源二期工程即將啟動(dòng),擬建的中子譜儀對(duì)大面積、高效率、位置靈敏的新型中子探測(cè)器需求緊迫。制備出高性能中子轉(zhuǎn)換碳化硼薄膜是其中最核心的技術(shù),目前只有美國和歐洲少數(shù)幾個(gè)發(fā)達(dá)國家掌握了該項(xiàng)技術(shù)。
2016年,在核探測(cè)與核電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的支持下,中國散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)與同濟(jì)大學(xué)教授朱京濤合作,開始研制一臺(tái)磁控濺射大面積鍍硼專用裝置,鍍膜厚度范圍為0.01微米至5微米,同時(shí)支持單、雙面鍍膜,支持射頻和直流鍍膜。2021年6月,該裝置通過了重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)收并投入使用。
經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)和工藝試制,中國散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)攻克了濺射靶材制作、過渡層選擇、基材表面處理等對(duì)鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù),利用該鍍硼專用裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜,并成功應(yīng)用于中國散裂中子源多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷GEM(氣體電子倍增器)中子探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國產(chǎn)化,為接下來研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。
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